晶湛半導體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術實力處于國際領軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，實現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關創(chuàng)新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。晶湛半導體高度重視自主研發(fā)和核心知識產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，晶湛半導體目前已在國內(nèi)外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術企業(yè)、蘇州市獨角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽。蘇州晶湛半導體有限公司將一直秉承著“成為世界領先的第三代半導體材料供應商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。
